문헌
광 노광에서 감광제 현상에 관한 연구
관리번호 TKC00006
- 실물구분
- 아날로그
- 매체유형
- 논문
- 주제구분
- 연구기술
기본 정보
- 본제목
- 광 노광에서 감광제 현상에 관한 연구
- 부제목
- -
- 대등제목
- -
- 국가구분
- 국내
- 생산일자
- 1995-**-**
- 언어
- -
- 크기(mm)
- -
- 페이지
- 38
- ISBN/ISSN
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- 판차
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- 마스터파일
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- 생산자
- 남병섭 (한양대학교 대학원 물리학과 석사 논문 저자)
- 내용
- (논문요약)[목적] 광 노광에서 현상(development)공정은 레지스트에서 일어나는 물리적, 화학적 성질을 이해해야만 설명할 수 있다. 그러나 복잡한 레지스트의 성질을 설명하기 위해서는 모델링 및 시뮬레이션화 하는 과정에서 많은 변수(parameter)를 포함하여야 하고 이에 따른 계산 시간이 길어지는 등의 많은 문제점이 있다. 본 논문에서는 최소한의 변수를 사용하여 레지스트 부피(bulk)에서의 측면각(sidewall angle)과 표면효과(surface effect)를 고려하기 위하여 레지스트의 흡수율이 깊이에 따라 변하게 함으로써 현상된 후의 레지스트 표면에서의 측면각을 비교하여 보았다. 초점심도와 에너지에 따른 선폭변화 곡선(smile curve)을 통해서 수은등의 i-line (365nm)에서의 0.5㎛ 선폭 형성을 위한 공정 여유도를 조사하였다. 더불어 표면효과를 고려한 MLPM(Modified Lumped Parameter Model)과 LPM(Lumped Parameter Model)의 차이를 알아보기 위하여 동일한 조건하에서 측면각과 선폭의 변화를 알아 보았으며, 또한 구경수(mumerical aperture)와 공간 간섭성(spatial coherence)에 따른 선폭의 변화와 측면각(sidewall angle)을 비교하
목차
요지 = i 목차 = ii 그림 차례 = iii I. 서론 = 1 1. 광노광(optical lithography) = 1 2. 현상 모델(development model) = 6 3. 표면 효과(surface effect) = 9 II. Lumped Parameter Model(LPM) = 11 1. Lumped parameter model = 11 2. 표면효과(surface effect) = 20 III. 결론 = 33 참고문헌 = 34 Abstract = 37 감사의 글 = 38
소장정보 1
TKC00006
- 입수처
- 정보화수집팀
- 입수방법
- 기증
- 입수일자
- 1999-06-09
- 그룹정보
- -
- 공개구분
- 방문열람
- 복사/대여
- -
- 보관위치
- 영상도서관(상암)
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