본문 바로가기
문헌

광 노광에서 Exposure 및 Post-Exposure Bake

관리번호 TKC00050

실물구분
아날로그
매체유형
논문
주제구분
연구기술

기본 정보

본제목
광 노광에서 Exposure 및 Post-Exposure Bake
부제목
-
대등제목
-
국가구분
국내
생산일자
1994-**-**
언어
-
크기(mm)
-
페이지
51
ISBN/ISSN
-
판차
-
마스터파일
-
생산자
윤정현 (한양대학교 대학원 물리학과 석사 논문 저자)
내용
(논문요약)[목적] 광 노광은 ULSI 제작에 있어서 매우 중요한 공정이다. 레지스트 물질의 변화에 대한 모델링과 시뮬레이션은 광 노광의 복잡한 현상을 이해하고 실제 공정을 최적화 하는데 중요한 역할을 한다. 본 논문은 Exposure 과정에서 Dill 모델을 기본으로 하여 빛에 반응하여 레지스트내에서 일어나는 화학적 변화를 통해, 현상률을 결정하는 PAC(Photo Active Compound)농도인 M값의 면화를 살펴보았다. 시뮬레이션을 통하여 Dill모델의 A,B,C 파라미터가 갖는 의미를 살펴보았다. 그리고 PAC의 열에 의한 확산을 이용해 반사가 일어나는 기판을 사용함으로써 생길 수 밖에 없는 정상파 효과를 감소시키는 것에 대해 알아보았다.

목차

I. 서론 = 1 II. 이론 = 4 1. Exposure = 4 1.1 Bleach = 4 1.1.1 Dill 모델 = 4 1.1.2 Dill 파라미터 A, B, C의 의미 = 5 1.1.3 측정을 통해 A, B, C값 구하기 = 6 1.2 M값 구하기 = 8 1.2.1 흡수율 구하기 = 8 1.2.2 M값 구하기 = 8 1.2.3 빛의 세기(I)와 PAC의 농도(M)관계 = 12 2. Post-Exposure Bake = 14 2.1 정상파 효과 감소 = j14 2.1.1 정상파 = 15 2.1.2 확산 = 16 2.1.3 확산에 의한 정상파 효과 감소 = 17 2.2 그 외 PEB 효과 = 18 3. Development = 20 III. 시뮬레이션 결과 = 32 1. Exposure = 33 2. Post-Exposure Bake = 34 IV. 결론 = 42 참고문헌 = 43 Abstract 마치며

소장정보 1

TKC00050

입수처
정보화수집팀
입수방법
기증
입수일자
1999-06-09
그룹정보
-
공개구분
방문열람
복사/대여
-
보관위치
영상도서관(상암)

연계 정보

불러오는 중입니다.